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DMP2065UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2065UFDB-7
库存编号2709536RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型UDFN2020
功耗 Pd740mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道740mW
耗散功率P沟道740mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
4.5A
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
UDFN2020
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
740mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.04ohm
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
740mW
耗散功率N沟道
740mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907