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DMP2110UVTQ-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
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|---|---|
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| 500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 1000+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 5000+ | CNY0.928 (CNY1.0486) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP2110UVTQ-7
库存编号3405245RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续1.8A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.15ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
连续漏极电流 Id P沟道1.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.15ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd740mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道740mW
耗散功率P沟道740mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
1.8A
在电阻RDS（上）
0.15ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.8A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.15ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
740mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
740mW
耗散功率N沟道
740mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002