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DMP4050SSD-13
双路场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP4050SSD-13
库存编号3944152RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道40V
在电阻RDS（上）0.038ohm
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.038ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.038ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd1.25W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.038ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.25W
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001