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DMP56D0UV-7
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 50 V, 160 mA, 160 mA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
| 500+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 1000+ | CNY0.847 (CNY0.9571) |
| 5000+ | CNY0.706 (CNY0.7978) |
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多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP56D0UV-7
库存编号3944155RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道50V
电流, Id 连续160mA
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道160mA
在电阻RDS（上）4.6ohm
连续漏极电流 Id P沟道160mA
漏源通态电阻N沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4V
漏源导通电阻P沟道6ohm
阈值栅源电压最大值1.2V
晶体管封装类型SOT-563
功耗 Pd400mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道400mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
160mA
连续漏极电流 Id N沟道
160mA
连续漏极电流 Id P沟道
160mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
6ohm
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
400mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
50V
漏源电压Vds P沟道
50V
在电阻RDS（上）
4.6ohm
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4V
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
400mW
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001