DMP6350S-7

DMP6350S-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括电池充电、电源管理功能、DC-DC 转换器和便携式电源适配器。

• 低导通电阻、低输入电容
• 开关速度快，输入/输出漏电低
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 -60V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
• 在TA = +25°C、稳态、VGS = -10V 时，连续漏极电流为 -1.5A
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 -6A
• 总功耗为 0.72W
• 在VGS = -10V、ID = -0.9A、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大值为 350 mohm
• SOT23 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

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