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DMT10H9M9SCT
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 99 A, 7200 µohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
| 1+ | CNY18.060 (CNY20.4078) |
| 10+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 100+ | CNY6.870 (CNY7.7631) |
| 500+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
| 1000+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 5000+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT10H9M9SCT
库存编号3828436
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续99A
漏源接通状态电阻7200µohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.9V
功率耗散156W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
99A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
7200µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003