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DMT3020LDV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.02 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
| 500+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 1000+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 5000+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
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多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT3020LDV-7
库存编号3944162RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续32A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.014ohm
连续漏极电流 Id N沟道32A
连续漏极电流 Id P沟道32A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerDI3333
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd1.9W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.9W
耗散功率P沟道1.9W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
32A
在电阻RDS（上）
0.014ohm
连续漏极电流 Id P沟道
32A
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.9W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
32A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
PowerDI3333
功耗 Pd
1.9W
耗散功率N沟道
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001