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DMT3020UFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.021 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.200 (CNY7.006) |
| 10+ | CNY3.940 (CNY4.4522) |
| 100+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
| 500+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 1000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 5000+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
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多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT3020UFDB-7
库存编号3828437
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道6.5A
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型U-DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6.5A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
U-DFN2020
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001