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ZTX603
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 80 V, 1 W, 1 A, TO-92, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.590 (CNY11.9667) |
| 10+ | CNY4.600 (CNY5.198) |
| 100+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 1000+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 5000+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZTX603
库存编号9525904
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo80V
功耗 Pd1W
集电极直流电流1A
射频晶体管封装TO-92
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE2000hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值200°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
ZTX603 是一款 NPN 硅平面中等功率达林顿晶体管。
- 集电极-基极电压为 100V
- 集电极-发射极电压为 80V
- 发射极-基极电压为 10V
- 峰值脉冲电流为 4A
- 集电极持续电流为 1A
- 在Tamb=25°C 时，功率耗散为 1W
- 在 IC=100mA、VCE=10V、f=20MHz、Tamb=25°C 时，转换频率为 150MHz
- 在 VEB=500mV、f=1MHz、Tamb=25°C 时，典型输入电容为 90pF
- E 线封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +200°C
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
1W
射频晶体管封装
TO-92
直流电流增益, hFE
2000hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
80V
集电极直流电流
1A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000175