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ZTX605
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 120 V, 1 W, 1 A, TO-92, 3 引脚
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| 500+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZTX605
库存编号9525912
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo120V
功耗 Pd1W
集电极直流电流1A
射频晶体管封装TO-92
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE2000hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值200°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
ZTX605 is a NPN silicon planar medium power Darlington transistor.
- Collector-base voltage is 140V
- Collector-emitter voltage is 120V
- Emitter-base voltage is 10V
- Peak pulse current is 4A
- Continuous collector current is 1A
- Power dissipation at Tamb=25°C is 1W
- Transition frequency is 150MHz at IC=100mA, VCE=10V, f=20MHz, Tamb = 25°C
- Input capacitance is 90pF typical at VEB=500mV, f=1MHz, Tamb = 25°C
- E-line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +200°C
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
1W
射频晶体管封装
TO-92
直流电流增益, hFE
2000hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
120V
集电极直流电流
1A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000156