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ZVN3306F
场效应管, MOSFET, N, SOT-23
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVN3306F
库存编号9526218
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续150mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
ZVN3306F 是一款 N 沟道增强型垂直 MOSFET。
- 漏源电压为 60V
- 在Tamb=25°C 时，连续漏极电流为 150mA
- 脉冲漏极电流为 3A
- 栅极-源极电压为 ±20V
- 在Tamb=25°C 时，功率耗散为 330mW
- 在 ID=1mA、VGS=0V、Tamb=25°C 时，漏极-源极击穿电压最小为 60V
- 在VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C 时，漏极-源极静态导通电阻最大为 5 ohm
- 在 ID=1mA、VDS= VGS、Tamb = 25°C 时，栅极-源极阈值电压最大为 2.4V
- SOT23封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033