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ZVN4206A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, 通孔
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVN4206A
库存编号9525475
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续600mA
漏源接通状态电阻1ohm
晶体管封装类型TO-226AA
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散700mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The ZVN4206A is a 60V E-Line N-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 1Ω resistance and 700mW power dissipation.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
TO-226AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000166