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ZVN4206AV
场效应管, MOSFET, N, 逻辑电平 E-LINE
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 10+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 100+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 500+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 1000+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 5000+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVN4206AV
库存编号9526196
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续600mA
漏源接通状态电阻1ohm
晶体管封装类型E-Line
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散700mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZVN4206AV is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with repetitive avalanche rating and no transient protection required. It is suitable for automotive relay drivers and stepper motor driver applications.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
E-Line
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000166