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ZVN4306A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.1 A, 0.33 ohm, TO-226AA, 通孔
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVN4306A
库存编号9524924
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.1A
漏源接通状态电阻0.33ohm
晶体管封装类型TO-226AA
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散850mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
ZVN4306A 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS FET。它是直流-直流转换器的理想之选。
- 在TA = 25°C 时，漏极至源极电压为 60V
- 在TA = 25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = 25°C 时，连续漏极电流为 1.1A
- 在TA = 25°C 时，实际连续漏极电流为 1.3A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 15A
- 在TA = 25°C 时，功率耗散为 850mW
- 漏极至源极击穿电压最低为 60V（VGS = 0V，ID = 1mA，TA = 25°C）
- 在VGS = 10V、ID = 3A、TA = 25°C 时，静态漏源导通电阻最大为 0.33 ohm
- E 线封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.1A
晶体管封装类型
TO-226AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
850mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.33ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000163