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ZVP2106A
场效应管, MOSFET, P, E-LINE
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| 500+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZVP2106A
库存编号9525505
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续280mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-226AA
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散700mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZVP2106A is a P-channel enhancement mode MOSFET Transistor with -4A pulsed drain current.
- ±20V Gate Source Voltage
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
280mA
晶体管封装类型
TO-226AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000168