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ZVP3306A
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 160 mA, 14 ohm, E-Line, 通孔
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| 500+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
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| 5000+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
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产品概述
ZVP3306A 是一款 P 沟道增强型垂直 DMOS FET。
- 漏极-源极电压为 -60V
- 在Tamb=25°C 时，连续漏极电流为 -160mA
- 脉冲漏极电流为 -1.6A
- 栅极-源极电压为 ±20V
- 在Tamb=25°C 时，功率耗散为 625mW
- 在 ID=-1mA、VGS=0V、Tamb=25°C 时，漏源击穿电压为 -60V（最小）
- 在VGS=-10V, ID=-200mA, Tamb=25°C 时，漏极-源极静态导通电阻最大为 14 ohm
- 在 ID=-1mA、VDS= VGS、Tamb = 25°C 时，栅极-源极阈值电压最大为 -3.5V
- E 线封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
160mA
晶体管封装类型
E-Line
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
14ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000165