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ZXM61N02F
场效应管, MOSFET, N, SOT-23
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXM61N02F
库存编号9525270
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻0.18ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散625mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The ZXM61N02F is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes an unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033