ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。该 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括 DC-DC 转换器、电机控制和隔离开关。

• 低导通电阻、低阈值
• 开关速度快，栅极驱动低
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 100V
• 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
• 在VGS=10V 时，漏极连续电流为 0.8A，TA=+25°C，稳态
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 3.5A
• 在TA=+25°C 时，连续源电流（本体二极管）为 0.5A
• 在TA=+25°C 时，脉冲源电流（本体二极管）为 3.5A
• SOT23 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。