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|---|---|
| 100+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 500+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
| 1000+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
| 5000+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
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多件: 1
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMN4A06GTA
库存编号7564910RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续7A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散3.9W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The ZXMN4A06GTA is a 40V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- AEC-Q101 qualified
- UL94V-0 Flammability rating
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454