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ZXMP6A18K
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 10.4 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 50+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 100+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 500+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
| 1000+ | CNY3.120 (CNY3.5256) |
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多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMP6A18K
库存编号1251239
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续10.4A
漏源接通状态电阻0.055ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散4.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The ZXMP6A18K is a -60V P-channel Enhancement Mode MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
10.4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.055ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00081