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ZXMS6005DT8TA
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.8 A, 0.15 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMS6005DT8TA
库存编号1902497RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续1.8A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.15ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.15ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOT-223
功耗 Pd1.16W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.16W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXMS6005DT8TA is a dual N-channel self protected enhancement-mode INTELLIFET® MOSFET with logic level input. It integrates overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. It is ideal as a general purpose switch driven from 3.3 or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough. It is suitable for lamp, relay and solenoid driver applications.
- Compact dual package
- Low input current
- Logic level input
- Short circuit protection with auto restart
- Thermal shutdown with auto restart
- High continuous current rating
- Halogen-free, Green device
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
1.8A
在电阻RDS（上）
0.15ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.15ohm
Rds(on)测试电压
5V
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.16W
耗散功率N沟道
1.16W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454