打印页面
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXTD4591E6TA
库存编号1843756RL
技术数据表
晶体管极性互补式NPN和PNP
集电极发射电压, Vceo60V
集电极发射极电压最大值NPN60V
集电极直流电流1A
集电极发射极电压最大值 PNP60V
连续集电极电流NPN1A
功耗 Pd1.1W
连续集电极电流NPN1A
直流电流增益, hFE100hFE
耗散功率NPN1.1W
耗散功率PNP1.1W
直流电流增益hFE最小值NPN100hFE
直流电流增益hFE最小值PNP100hFE
晶体管封装类型SOT-23
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN180MHz
转换频率NPN150MHz
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXTD4591E6TA is a NPN-PNP complementary medium power Bipolar Transistor Array offers 1 and -1A continuous collector current respectively. It is suitable for MOSFET gate driver, low power motor drive and DC-to-DC converters.
- UL94V-0 Flammability rating
- Low saturation voltage (500mV and -600mV maximum @ 1A for NPN and PNP)
- hFE characterised up to 2A (for NPN and PNP)
- 210mΩ and 355mΩ RSAT @1A for a low equivalent ON-resistance (NPN and PNP)
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
互补式NPN和PNP
集电极发射极电压最大值NPN
60V
集电极发射极电压最大值 PNP
60V
功耗 Pd
1.1W
直流电流增益, hFE
100hFE
耗散功率PNP
1.1W
直流电流增益hFE最小值PNP
100hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
150MHz
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
集电极发射电压, Vceo
60V
集电极直流电流
1A
连续集电极电流NPN
1A
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
1.1W
直流电流增益hFE最小值NPN
100hFE
晶体管封装类型
SOT-23
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
180MHz
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000353