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ONSEMI RFD16N06LESM9A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
- 制造商：
- ONSEMI ONSEMI
- 制造商产品编号:
- RFD16N06LESM9A
- 库存编号
- 1095140
-
- 技术数据表:
- RFD16N06LESM9A 数据表
- ECAD / MCAD
-
产品概述
The RFD16N06LESM is a N-channel Power MOSFET manufactured using a modern process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits give optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and emitter switches for bipolar transistors. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
应用
电源管理, 工业
附注
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产品信息
技术文档 (2)
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- 1+
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- 100+
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|---|---|---|
| 1+ | CNY13.22 CNY14.9386 | ( ) |
| 10+ | CNY11.02 CNY12.4526 | ( ) |
| 100+ | CNY8.75 CNY9.8875 | ( ) |
| 250+ | CNY8.08 CNY9.1304 | ( ) |
| 500+ | CNY7.32 CNY8.2716 | ( ) |
| 1000+ | CNY6.27 CNY7.0851 | ( ) |
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|
定价不可用。 请联系客户服务。
| 数量 | 单价（含增值税） (不含税) (含税) | 您所支付金额(不含税) |
|---|---|---|
| 2500+ | CNY6.11 CNY6.9043 | |
| 5000+ | CNY5.91 CNY6.6783 |
定价不可用。 请联系客户服务。
1 (切割卷带 1095140) x 13.22 = CNY13.22
1 (切割卷带 1095140) x 14.9386 = CNY14.9386
总价: CNY13.22
( 不含税 )
总价: CNY14.94
( 含税 )
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