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1EDN7511BXUSA1
MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 19ns延迟, SOT-23-6
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
| 100+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
| 500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 1000+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 2500+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 5000+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDN7511BXUSA1
库存编号2986398
产品范围EiceDRIVER 1EDN
也称为1EDN7511B, SP001891288
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置低压侧
电源开关类型GaN HEMT, IGBT, MOSFET
针脚数6引脚
IC 外壳 / 封装SOT-23
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流4A
灌电流8A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
输入延迟19ns
输出延迟19ns
产品范围EiceDRIVER 1EDN
合规-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
1EDN7511BXUSA1 是 EiceDRIVER™ 单通道低侧栅极驱动器 IC。其引脚布局符合事实上的行业标准。它用于驱动逻辑和正常电平 MOSFET，如 OptiMOS™ 和 CoolMOS™，以及 GaN HEMT 器件。其应用包括开关模式电源 (SMPS)、功率因数校正系统、DC-DC 电源转换器、低压驱动器和电动工具、工业电源（SMPS、UPS）、电动汽车车外充电器、太阳能微型逆变器、太阳能优化器。
- 4.2V/3.9V UVLO ON/OFF，分离式源极和灌极输出配置
- 高电平（源极）输出电流为 4.0A（典型值），低电平（灌极）输出电流为 -8.0A（典型值）
- 输入到输出传播延迟为 19ns（典型值，CLOAD= 1.8nF，VVDD= 12V）
- 5A 反向电流稳健性，-10V 输入电压稳健性
- 通过 JEDEC 工业应用认证
- 电源电压范围为 4.5 至 20V（UVLO 规定的最小值）
- 输入电压稳健性为 -10V，反向电流稳健性为 5A
- VDD 静态电流为 0.4mA（典型值，OUT=高电平，VVDD= 12V，VVDD= 12V，TJ=25°C）
- 上升时间为 6.5ns（典型值，CLOAD= 1.8nF，VVDD= 12V），下降时间为 4.5ns（典型值，CLOAD= 1.8nF，VVDD= 12V）
- PG-SOT23-6 封装，结温范围 -40 至 150°C
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
6引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
19ns
产品范围
EiceDRIVER 1EDN
MSL
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOT-23
输入类型
反相, 非反相
灌电流
8A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
19ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00045