6EDL04I06NTXUMA1

6EDL04I06NTXUMA1 是第二代全桥栅极驱动器，用于控制三相系统中的 MOS 晶体管或 IGBT 等功率器件，最大阻断电压为 +600V。基于所采用的 SOI 技术，该器件在瞬态电压下具有出色的坚固性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在任何温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁。六个独立驱动器在低端使用 CMOS 和 LSTTL 兼容信号进行控制，逻辑电压低至 3.3V。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元和一个过流检测单元。过流电平可通过选择 ITRIP 引脚上的电阻值和阈值电平来调整。潜在应用包括家用电器、制冷压缩机、空调、风扇、泵、电机驱动器、通用变频器、电动工具和轻型电动汽车。

• 负逻辑高边控制输入 HIN1,2,3 和 LIN1,2,3
• IGBT 目标晶体管，11.7V / 9.8V typ UVLO 阈值，自举二极管
• 高压侧偏移电压最大为 620V（Ta=25°C），输出源/漏电流为 +0.165A/-0.375A
• 集成超快、低 RDS(ON) 自举二极管，每相信号互锁
• 采用 SOI 技术，桥式输出对高达 -50V 的瞬态负电压不敏感
• 所有六个驱动器均有独立的控制电路，可检测过流和欠压电源
• 过电流检测后，故障清除延迟时间可从外部设定
• 根据 JEDEC47/20/22 的相关测试，符合工业应用要求
• DSO-28 封装，环境温度范围为 -40 至 105°C