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AIMBG120R020M1XTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMBG120R020M1XTMA1
库存编号4335823
产品范围CoolSiC Series
也称为AIMBG120R020M1, SP005411511
技术数据表
350 有货
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350 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY161.130 (CNY182.0769) |
| 5+ | CNY141.600 (CNY160.008) |
| 10+ | CNY122.070 (CNY137.9391) |
| 50+ | CNY113.880 (CNY128.6844) |
| 100+ | CNY105.690 (CNY119.4297) |
| 250+ | CNY104.530 (CNY118.1189) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY161.13 (CNY182.08 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AIMBG120R020M1XTMA1
库存编号4335823
产品范围CoolSiC Series
也称为AIMBG120R020M1, SP005411511
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续104A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型TO-263HV
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散468W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
104A
漏源接通状态电阻
0.025ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
468W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001