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AUIRF7103QTR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.950 (CNY8.9835) |
| 50+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
| 250+ | CNY5.360 (CNY6.0568) |
| 1000+ | CNY5.170 (CNY5.8421) |
| 2000+ | CNY4.960 (CNY5.6048) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7103QTR
库存编号1909584
也称为SP001517980
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.13ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
AUIRF7103QTR 的替代之选
找到 1 件产品
产品概述
AUIRF7103Q是一款50V双N沟道HEXFET®功率MOSFET，采用先进的平面技术，具有极低的单位硅面积导通电阻和快速开关性能。这款汽车MOSFET提供了基准的优异性能，其设计经过优化，可满足电动助力转向、喷射、微型混合动力和HEV等关键应用。
- 175°C工作温度
- 动态dV/dt额定值
- 车用级别
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.13ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.4W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005