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产品概述
- Silicon RF Schottky diode
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Anti-parallel pair pin configuration
技术规格
二极管配置
双隔离
正向电流
110mA
二极管电容
0.35pF
引脚数
4引脚
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
反向电压
4V
正向电压
410mV
二极管封装类型
SOT-143
二极管安装
表面安装
产品范围
BAT15
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001