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BF998E6327HTSA1
晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品概述
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
漏源电压, Vds
12V
功率耗散
200mW
运行频率最大值
-
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
电流, Id 连续
30mA
工作频率最小值
-
晶体管封装类型
TO-252
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635