打印页面
BFP196E6327HTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
NPN silicon RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA.
- Power amplifier for DECT and PCN systems
- fT = 7.5GHz, F = 1.3dB at 900MHz
- Qualified according AEC Q101
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
8GHz
连续集电极电流
65mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
250mW
晶体管封装类型
SOT-143
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907