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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP650FH6327XTSA1
库存编号2480673
也称为BFP 650F H6327, SP000750408
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压4V
过渡频率42GHz
功率耗散500mW
连续集电极电流150mA
晶体管封装类型TSFP
针脚数4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值110hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BFP 650F H6327 is a linear low-noise Bipolar RF Transistor for medium power amplifiers and driver stages. The device is based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology and ideal for low phase noise oscillators.
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
42GHz
连续集电极电流
150mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
4V
功率耗散
500mW
晶体管封装类型
TSFP
直流电流增益, Hfe 最小值
110hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000008