BGS12P2L6E6327XTSA1

BGS12P2L6E6327XTSA1是一款通用型SPDT射频MOS功率开关，覆盖0.05至6GHz宽频段高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。该芯片集成片上CMOS逻辑电路，仅需单引脚CMOS或TTL兼容控制信号驱动。与砷化镓技术不同，仅当外部施加直流电压时才需在射频端口添加直流阻隔电容。BGS12P2L6射频开关采用Infineon专利MOS工艺制造，兼具砷化镓性能与传统CMOS的经济性及集成度，并具备固有的更高抗静电能力。

• 根据 JEDEC47/20/22 的相关测试，符合工业应用要求
• 低功耗，片上控制逻辑，高端口间隔离
• 射频CMOS单刀双掷天线开关，功率处理能力高达37dBm（在VSWR 1:1/50欧姆条件下）
• 低插入损耗与谐波产生
• 若射频线路未施加直流电压，则无需阻隔电容
• 无需电源去耦，具备高EMI抗扰性
• 工作电压范围为1.65至3.4V，工作温度范围为TA=-40°C至+85°C
• 典型工作电流为65µA，工作状态下，TA=-40°C至+85°C，VDD=1.65V至3.4V
• TSLP-6-4 超薄型无引线塑料封装
• 环境温度范围为 -40 至 85°C

警告

超过此处列出的最大值的应力可能会导致设备永久损坏。