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BSC009NE2LSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC009NE2LSATMA1
库存编号2480703RL
也称为BSC009NE2LS, SP000893362
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻900µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散96W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSC009NE2LS is a N-channel Power MOSFET features high DC and pulsed current capability. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency. Lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, O-ring, e-fuse and HOT-SWAP application. The package has a standard footprint that allows thinner and smaller application solutions compared to the IPB009N03LS.
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
96W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BSC009NE2LSATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005