打印页面
BSC014N06NSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
25,991 有货
需要更多？
25991 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY18.890 (CNY21.3457) |
| 50+ | CNY14.780 (CNY16.7014) |
| 250+ | CNY12.420 (CNY14.0346) |
| 1000+ | CNY11.130 (CNY12.5769) |
| 3000+ | CNY10.750 (CNY12.1475) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY94.45 (CNY106.73 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC014N06NSATMA1
库存编号2443419
也称为BSC014N06NS, SP000924886
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻1450µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散156W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC014N06NS是一款60V N沟道功率MOSFET, 适用于开关模式电源 (SMPS)内的同步整流, 例如服务器, 台式机和平板电脑充电器中. MOSFET的RDS (on)比其他器件低40％. 降低了栅极电荷和输出电荷, 实现高系统效率和功率密度. OptiMOS™功率MOSFET非常适合高频开关和DC-DC转换器.
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 节省空间
- 非常低的过冲电压
- 优秀的热阻
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1450µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSC014N06NSATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000583