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BSC036NE7NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
| 50+ | CNY11.740 (CNY13.2662) |
| 250+ | CNY9.830 (CNY11.1079) |
| 1000+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 3000+ | CNY8.370 (CNY9.4581) |
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多件: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC036NE7NS3GATMA1
库存编号2480736
也称为BSC036NE7NS3 G, SP000907920
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻3600µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.1V
功率耗散156W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- Optima's ™ 3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
3600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
BSC036NE7NS3GATMA1 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000184