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BSC082N10LSGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 A, 8200 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC082N10LSGATMA1
库存编号2480741RL
产品范围OptiMOS 2 Series
也称为BSC082N10LS G, SP000379609
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技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 50+ | CNY12.190 (CNY13.7747) |
| 250+ | CNY9.920 (CNY11.2096) |
| 1000+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 3000+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY1,219.00 (CNY1,377.47 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC082N10LSGATMA1
库存编号2480741RL
产品范围OptiMOS 2 Series
也称为BSC082N10LS G, SP000379609
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻8200µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散156W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 2 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
BSC082N10LSGATMA1 的替代之选
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产品概述
The BSC082N10LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 2 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005