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BSC16DN25NS3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.420 (CNY14.0346) |
| 50+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
| 250+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 1000+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
| 3000+ | CNY5.920 (CNY6.6896) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY62.10 (CNY70.17 含税)
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC16DN25NS3GATMA1
库存编号2480748
也称为BSC16DN25NS3 G, SP000781782
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续10.9A
漏源接通状态电阻0.165ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散62.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSC16DN25NS3 G是一款基于OptiMOS™领先基准技术的N沟道功率MOSFET产品。它完全适用于48V系统的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和逆变器。
- 业界最低的RDS (ON)
- 最低Qg与Qgd
- 业界最低FOM，MSL 1等级
- 高效率
- 高功率密度
- 最低的板空间消耗
- 需要最少的设备并联
- 环保型
- 产品易于设计
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10.9A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.165ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00032