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BSG0810NDIATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.003 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0810NDIATMA1
库存编号3703508RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为BSG0810NDI, SP001241674
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技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 500+ | CNY9.530 (CNY10.7689) |
| 1000+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0810NDIATMA1
库存编号3703508RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为BSG0810NDI, SP001241674
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续50A
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道50A
在电阻RDS（上）700µohm
连续漏极电流 Id P沟道50A
漏源通态电阻N沟道0.003ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TISON
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数8引脚
功耗 Pd6.25W
耗散功率N沟道6.25W
耗散功率P沟道6.25W
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
25V
电流, Id 连续
50A
连续漏极电流 Id N沟道
50A
连续漏极电流 Id P沟道
50A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
6.25W
耗散功率P沟道
6.25W
产品范围
OptiMOS 5 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
在电阻RDS（上）
700µohm
漏源通态电阻N沟道
0.003ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TISON
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
6.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00017