打印页面
BSG0812NDATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 25 V, 50 A, 3500 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0812NDATMA1
库存编号4344016RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP001164324, BSG0812ND
您的零件号
技术数据表
4,921 有货
需要更多？
4921 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY8.140 (CNY9.1982) |
| 500+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 1000+ | CNY6.240 (CNY7.0512) |
| 5000+ | CNY5.750 (CNY6.4975) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY814.00 (CNY919.82 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSG0812NDATMA1
库存编号4344016RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP001164324, BSG0812ND
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道50A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道3500µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TISON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道6.25W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
50A
漏源通态电阻N沟道
3500µohm
晶体管封装类型
TISON
耗散功率N沟道
6.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001