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BSL308PEH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
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| 100+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL308PEH6327XTSA1
库存编号2725818
也称为BSL308PE H6327, SP001101004
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道2A
连续漏极电流 Id P沟道2A
漏源通态电阻N沟道0.062ohm
漏源导通电阻P沟道0.062ohm
晶体管封装类型TSOP
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS P3 Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ P3 small-signal-transistor
- Dual P-channel
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- ESD protected
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
警告
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技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2A
漏源导通电阻P沟道
0.062ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
OptiMOS P3 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2A
漏源通态电阻N沟道
0.062ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001