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BSL316CH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL316CH6327XTSA1
库存编号2617475
产品范围OptiMOS 2 Series
也称为BSL316C H6327, SP001101010
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL316CH6327XTSA1
库存编号2617475
产品范围OptiMOS 2 Series
也称为BSL316C H6327, SP001101010
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道1.4A
连续漏极电流 Id P沟道1.4A
漏源通态电阻N沟道0.119ohm
漏源导通电阻P沟道0.119ohm
晶体管封装类型TSOP
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS 2 Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
1.4A
漏源导通电阻P沟道
0.119ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
OptiMOS 2 Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
1.4A
漏源通态电阻N沟道
0.119ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001