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100+ | CNY8.990 (CNY10.1587) |
500+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
1000+ | CNY6.570 (CNY7.4241) |
5000+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
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产品概述
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源导通电阻P沟道
0.031ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
OptiMOS Series
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000265