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BSP135H6327XTSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, 表面安装
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSP135H6327XTSA1
库存编号2480625
也称为BSP135 H6327, SP001058812
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续120mA
漏源接通状态电阻45ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散1.8W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSP135 H6327 is a N-channel depletion-mode SIPMOS® Small-Signal-Transistor with 600VDS drain source voltage. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. Also suitable for automotive applications.
- dV/dt rated
- Pb-free lead plating
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
45ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSP135H6327XTSA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814