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BSZ019N03LSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY9.630 (CNY10.8819) |
| 100+ | CNY6.330 (CNY7.1529) |
| 500+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 1000+ | CNY5.830 (CNY6.5879) |
| 5000+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ019N03LSATMA1
库存编号2443425
产品范围OptiMOS Series
也称为BSZ019N03LS, SP000792362
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续149A
漏源接通状态电阻0.0019ohm
晶体管封装类型TSDSON-FL
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter(Server,VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
149A
晶体管封装类型
TSDSON-FL
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 -无限制
BSZ019N03LSATMA1 的替代之选
找到 7 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003