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BSZ15DC02KDHXTMA1
双路场效应管, MOSFET, 25 W, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.650 (CNY7.5145) |
| 100+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 500+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
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| 5000+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ15DC02KDHXTMA1
库存编号2726092
也称为BSZ15DC02KD H, SP000961028
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道3.2A
漏源通态电阻N沟道0.055ohm
漏源导通电阻P沟道0.15ohm
晶体管封装类型TSDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSZ15DC02KDHXTMA1 is a OptiMOS™2 + OptiMOS™-P 2 small signal transistor.
- Complementary P + N channel
- Gate source voltage is ±20V
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Common drain
- Avalanche rated
- 175°C operating temperature
- Qualified according to AEC Q101
- Available in 8 pin TDSON package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.2A
漏源导通电阻P沟道
0.15ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
晶体管封装类型
TSDSON
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000101