打印页面
CY15B064J-SXE
铁电RAM (FRAM), 64Kbit, 8K x 8位, I2C, 1MHz, 3V至3.6V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
294 有货
需要更多？
294 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY36.920 (CNY41.7196) |
| 10+ | CNY34.560 (CNY39.0528) |
| 25+ | CNY33.570 (CNY37.9341) |
| 50+ | CNY32.200 (CNY36.386) |
| 100+ | CNY31.440 (CNY35.5272) |
| 250+ | CNY31.050 (CNY35.0865) |
| 500+ | CNY29.310 (CNY33.1203) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY36.92 (CNY41.72 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B064J-SXE
库存编号2932639
也称为SP005647245, CY15B064J-SXE
技术数据表
存储密度64Kbit
记忆配置8K x 8位
接口I2C
时钟频率最大值1MHz
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B064J-SXE是一款64Kbit（8K×8）串行（I²C）汽车级F-RAM。该非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。 铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达121年的可靠数据保留，同时消除EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 该器件支持10^13次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1000万倍。对于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用而言，该器件堪称理想之选。典型应用涵盖数据记录（写入循环次数至关重要）到严苛的工业控制领域（EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 快速双线串行接口（I2C），最高频率1MHz
- 串行（I²C）EEPROM的直接硬件替代方案
- 低功耗
- 工作电压 VDD=3.0V 至 3.6V
- 符合AEC Q100一级标准
- 待机电流在TA=85°C时最大为6µA
- VSS ≤ VIN ≤ VDD时输出漏电流为1μA
- 8引脚SOIC封装
- 汽车电子级工作温度范围：-40°C至+125°C
技术规格
存储密度
64Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
3V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
8K x 8位
时钟频率最大值
1MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000528