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CY15B064Q-SXET
铁电RAM (FRAM), 64Kbit, 8K x 8位, SPI, 16MHz, 3V至3.6V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY45.490 (CNY51.4037) |
| 10+ | CNY42.520 (CNY48.0476) |
| 25+ | CNY41.330 (CNY46.7029) |
| 50+ | CNY40.380 (CNY45.6294) |
| 100+ | CNY39.500 (CNY44.635) |
| 250+ | CNY36.700 (CNY41.471) |
| 500+ | CNY36.060 (CNY40.7478) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B064Q-SXET
库存编号2932651
也称为SP005647259, CY15B064Q-SXET
技术数据表
存储密度64Kbit
记忆配置8K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值16MHz
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B064Q-SXET是一款采用先进铁电工艺的64Kbit汽车级F-RAM非易失性存储器。 铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达121年的可靠数据保留能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15B064Q以总线速度执行写入操作。 无需写入延迟。数据在成功传输至器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可启动下一个总线周期。此外，该产品具备远超其他非易失性存储器的写入耐受性，CY15B064Q可支持10¹⁵次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1000万倍。
- 64Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 8 K × 8
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持16MHz频率
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 精密写保护方案（通过低电平有效写保护(/WP)引脚实现硬件保护）
- 软件模块保护功能，支持1/4、1/2或全阵列保护
- 低功耗：1MHz工作电流300µA，+85°C待机电流6µA（典型值）
- 低工作电压 VDD 范围 3V 至 3.6V
- 符合AEC Q100一级标准
- 8-引脚SOIC封装，汽车级温度范围-40°C至+125°C
技术规格
存储密度
64Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
3V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
8K x 8位
时钟频率最大值
16MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001