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CY15B102Q-SXE
铁电存储器(FRAM), 2 Mbit(256K x 8)SPI, 25 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY126.800 (CNY143.284) |
| 10+ | CNY118.080 (CNY133.4304) |
| 25+ | CNY114.650 (CNY129.5545) |
| 50+ | CNY107.050 (CNY120.9665) |
| 100+ | CNY105.530 (CNY119.2489) |
| 250+ | CNY102.980 (CNY116.3674) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B102Q-SXE
库存编号2772904
也称为SP005647289, CY15B102Q-SXE
技术数据表
存储密度2Mbit
记忆配置256K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值25MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B102Q-SXE是一款2Mbit（256K×8）串行（SPI）汽车级铁电随机存取存储器（F-RAM）。该非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。F-RAM兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达121年的可靠数据保留，同时消除串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。CY15B102Q支持10^13次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1000万倍。该器件特别适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用，涵盖从写入次数至关重要的数据采集，到串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制场景。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持25MHz频率
- 串行（I²C）EEPROM的直接硬件替代方案
- 采用精密写保护方案，通过写禁用指令实现软件保护
- 软件模块保护功能，支持1/4、1/2或全阵列保护
- 使用写保护（低电平有效 WP）引脚进行硬件保护
- 符合AEC Q100一级标准
- 低电压工作：VDD=2.0V至3.6V
- 8引脚SOIC封装
- 汽车电子级工作温度范围：-40°C至+125°C
技术规格
存储密度
2Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
256K x 8位
时钟频率最大值
25MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361