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CY15B104Q-SXI
铁电存储器(FRAM), 4 Mbit(512K x 8)SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 5+ | CNY227.250 (CNY256.7925) |
| 10+ | CNY218.990 (CNY247.4587) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B104Q-SXI
库存编号2749232
也称为SP005647941, CY15B104Q-SXI
技术数据表
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值40MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY15B104Q-SXI 是一款 4-Mbit (512 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM。它是一款采用先进铁电工艺的 4-Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同，它以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品还具有很强的写入耐用性。其应用包括为当今互联的公民、消费电子产品和空间应用带来全新的生活方式和健康体验。
- 电压范围 2.0V 至 3.6V，4Mbit 密度，SPI F-RAM
- 4Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 512 K × 8
- 高耐久性 100 万亿次读/写，数据保存 151 年
- No Delay™ 写入，先进的高可靠性铁电工艺
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 使用写保护（低电平有效 WP）引脚进行硬件保护
- 使用写禁用指令、1/4、1/2 或整个阵列的 S/W 块保护进行 S/W 保护
- 1MHz 时工作电流为 300µA，VDD 待机电流为 100µA（典型值，TA=25°C）
- 睡眠模式电流为 3µA（典型值，TA=25°C）
- 8 引脚 SOIC 封装，工业工作温度范围为 -40 至 +85°C
技术规格
存储密度
4Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
512K x 8位
时钟频率最大值
40MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Cyprus
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Cyprus
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000647