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CY15B108QN-40SXI
非易失性存储器, 8MB, 40MHZ, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY386.780 (CNY437.0614) |
| 5+ | CNY338.430 (CNY382.4259) |
| 10+ | CNY280.410 (CNY316.8633) |
| 25+ | CNY251.400 (CNY284.082) |
| 50+ | CNY232.070 (CNY262.2391) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY15B108QN-40SXI
库存编号3227313
也称为SP005650461, CY15B108QN-40SXI
技术数据表
存储密度8Mbit
记忆配置1M x 8bit
接口SPI
时钟频率最大值40MHz
电源电压最小值1.8V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY15B108QN-40SXI是一款8Mb EXCELON™ LP铁电随机存取存储器（F-RAM）。该产品采用先进铁电工艺制造，是低功耗的8Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM式的读写性能，可提供长达151年的可靠数据保留能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。其支持高达10^15次读写循环，写入周期比EEPROM多10亿倍。该产品特别适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用场景，涵盖从写入周期至关重要的数据采集领域，到串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制领域。
- 8Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为1024K×8
- 高速串行外设接口（SPI），最高支持40MHz频率
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 精密写保护机制，支持1/4、1/2或全数组软件块保护
- 通过写保护引脚（低电平有效WP）实现硬件保护
- 通过写禁用指令（WRDI）实现软件保护
- 专用256字节特殊扇区F-RAM，支持专用扇区读写操作
- 存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
- 8引脚SOIC（EIAJ）封装
- 工业工作温度范围：-40⁰C至+85⁰C
警告
因市场需求旺盛，本产品交货周期延长，具体交付日期可能浮动。本产品不适用折扣优惠。
技术规格
存储密度
8Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
1.8V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
1M x 8bit
时钟频率最大值
40MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.b.2
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000054